光刻膠是什麼材料

『壹』 光刻膠都能做什麼材料的掩膜

光刻膠肯定是要經過光刻的，氮化硅不具備光學特性， 所以不能作為UV光阻擋層。用氮化硅的不是掩膜吧？你說的不會是自對准掩膜層吧，如果是的話這一隔離層不需要光刻。

『貳』 光刻膠是大規模集成電路印刷電路版技術中的關鍵材料，某一光刻膠的主要成分如圖所示，下列有關說法正確的

A．由結構簡式可知，發生加聚反應生成高分子，單體為CH₂=CHOOCCH=CHC₆H₅，其分子式為C₁₁H₁₀O₂，故A正確；
B．C=C及苯環均與氫氣發生加成反應，則1mol該物質可消耗4nmolH₂，故B錯誤；
C．含-COOC-，在鹼性溶液中發生水解，不能穩定存在，故C錯誤；
D．由高分子的主鏈只有2個C可知，發生加聚反應，故D錯誤；
故選A．

『叄』 光刻膠的介紹

又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照後，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像製版過程）。

『肆』 什麼是光刻膠以及光刻膠的種類

光刻膠是一種有機化合物，它受紫外光曝光後，在顯影液中的溶解度會發生變化。一般光刻膠以液態塗覆在矽片表面上，曝光後烘烤成固態。 1、光刻膠的作用： a、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層中； b、在後續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2、光刻膠的物理特性參數： a、解析度（resolution）。區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。 b、對比度（Contrast）。指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。 d、粘滯性/黏度（Viscosity）。衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住後續工藝（刻蝕、離子注入等）。 f、抗蝕性（Anti-etching）。光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 g、表面張力（Surface Tension）。液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 h、存儲和傳送（Storage and Transmission）。能量（光和熱）可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍，負膠會發生交聯，正膠會發生感光延遲。3、光刻膠的分類 a、根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。 負性光刻膠（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世紀70年代。曝光區域發生交聯，難溶於顯影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快；顯影時發生變形和膨脹。所以只能用於2μm的解析度。 正性光刻膠（Positive Photo Resist）。20世紀70年代，有負性轉用正性。正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解於顯影液。特性：解析度高、台階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。 b、根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：傳統光刻膠和化學放大光刻膠。 傳統光刻膠。適用於I線（365nm）、H線（405nm）和G線（436nm），關鍵尺寸在0.35μm及其以上。 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。適用於深紫外線（DUV）波長的光刻膠。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻膠的具體性質 a、傳統光刻膠：正膠和負膠。光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent），保持光刻膠的液體狀態，使之具有良好的流動性；添加劑（Additive），用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。 負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲；曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。 正性光刻膠。樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中；感光劑是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常見的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後，DNQ在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的解析度。 b、化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。樹脂是具有化學基團保護（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保護團的樹脂不溶於水；感光劑是光酸產生劑（PAG，Photo Acid Generator），光刻膠曝光後，在曝光區的PAG發生光化學反應會產生一種酸。該酸在曝光後熱烘（PEB，Post Exposure Baking）時，作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走，從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶於水轉變為高度溶於以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常

『伍』 光刻膠的作用

光刻開始於一種稱作光刻膠的感光性液體的應用。圖形能被映射到光刻膠上，然後用一個developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是以智能管感光材料，在光的照射與溶解度發生變化。
光刻膠成份
光刻膠通常有三種成分：感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。
1、負性光刻膠
主要有聚肉桂酸系（聚酯膠）和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表，後者以OMR系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。最常用的有AZ-1350系列。正膠的主要優點是解析度高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
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光刻膠的特點
1、在光的照射下溶解速率發生變化，利用曝光區與非曝光區的溶解速率差來實現圖形的轉移；
2、溶解抑制/溶解促進共同作用；
3、作用的機理因光刻膠膠類型不同而不同；
光刻膠的主要技術參數
1、解析度：區別矽片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關鍵尺寸來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。
2、對比度：指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。
3、敏感度：光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。
4、粘滯性/黏度：衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性：表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。
6、抗蝕性：光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。
7、表面張力：液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送：能量可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。
光刻膠的主要作用
1、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層；
2、在後續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。

『陸』 光刻膠是製造手機晶元必不可少的東西，你知道光刻膠是啥嗎

光刻膠有成為光制扛蝕機是光刻成像的承載介質，可以利用化學反應原理講光哥系統中經過濾波顏色後的光信息轉化為能量，完成掩膜圖形的復制。 有消息稱，日本東北213地震使得其企業的光刻膠出現了供應告急的問題，而信越更是宣布了關閉廠區，要知道日本信越占據全球光刻膠市場的20%。而光刻膠又是半導體的關鍵材料，日本信越宣布關閉廠區，就意味著全球光刻膠出現了供不應求的情況，其所帶來的連鎖反應就是加劇了晶元急慌的問題。

有相關數據顯示，2018年之中，全球半導體市場結構之中光刻膠的佔比達到了5.24%，被稱之為半導體的核心材料。在全球半導體光刻膠市場之中，日本企業可以說是一家獨大的，隨隨便便就能夠形成壟斷的現象，其佔比達到了80%。其中前面講到過的信越以及住友化學和TOK等等都是光刻膠市場領域之中的巨頭，可是日本此次突發地震，使得光刻膠市場1度面臨供不應求的狀況。

而上海信陽花費7.32億元推動集成電路製造，其中ARF光刻膠與KrF光刻膠成為其公司項目的主要攻克方向。不管是南大光電還是晶銳股份，又或者是上海新陽，這些企業為中國在光刻膠領域上面的發展填上了一筆又一筆色彩，使得我們在這個領域之中不再是小白的狀態。除了在光刻膠領域之中，我們在其他很多領域之中也都獲得了一定的成就。相信在全國上下無數企業的努力之下，我們一定能夠完成在半導體內各個領域之中的突破。雖然我們底子薄弱，但是我們有不服輸的精神，盡管我們起步晚，但是我們有決心。我們不能夠決定我們在全球領域內會擁有多大的地位，但是我們能夠決定我們付出多少就會收獲多少。

『柒』 光刻膠的作用原理和用途

光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。

光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋於基材表面。當紫外光或電子束的照射時，光刻膠材料本身的特性會發生改變，經過顯影液顯影後，曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上，而後續的刻蝕、沉積等工藝，就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上，最後再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。

『捌』 光刻膠就是ito導電膜嗎那麼沐里沐又是什麼，起什麼作用呢

光刻膠是光刻膠，ITO是ITO，兩回事。光刻膠（Photo resist，PR）是應用在光刻工藝中的，具備感光性，ITO（氧化銦錫）是電極材料，一般是在鍍膜工藝中沉積上去的。
沐里沐是鉬鋁鉬，是金屬電極的膜層材料。
在TFT製造中，鉬鋁鉬只是柵極源極最常見的材料而已，而柵極和源極是必要的。作為膜層材料，鍍膜肯定是一整層的，不過經過光刻和刻蝕工藝後，最終剩下的就是我們想要的圖案了。

『玖』 什麼是su-8光刻膠

摘要:對基於SU28 膠的UV2L IGA 技術進行了工藝優化,研究了光源波長和曝光時
間對SU28 膠成型的影響。結果表明,光刻膠表面線寬變化隨曝光時間增加先減少
後增加,有一個極小值;側壁角度先增加後減少, 有一個極大值。通過優化光源波
長、曝光時間以及顯影時間三個主要工藝參數,可以獲得側壁角度為90164 °正角的
300μm 厚光刻膠微結構和側壁角度為89198 °近似垂直的500μm 厚光刻膠微結構。
SU28 膠是一種在微機電系統(MEMS)
中廣泛應用的負性厚光刻膠[1 ] 。由於SU28
膠光敏性較好,同時吸收系數也較小,幾百微
米厚的SU28 膠進行紫外光刻,在較短的時
間內即可達到曝光劑量的要求,而且厚膠內
的曝光劑量也比較均勻[2 ] 。因此它幾乎應
用到了MEMS 的各個方面,例如作為塑性機
械結構、微模具、微流體器件的微通道結構等
等[3 - 5 ] 。
由於SU28 膠可以用紫外光進行光刻,
光刻厚度達數百微米,可部分取代L IGA 技
術中的同步輻射X 光光刻工藝,這大大降低
了L IGA 技術的成本。目前利用常規的紫外
曝光工藝,文獻報道的最大高深寬比值為
18[6 ] ,而對於高深寬比圓柱結構而言,所獲得
的深寬比還不超過10[5 ] 。在本實驗中通過
優化工藝參數得到了深寬比為20 的微圓柱
結構。衡量高深寬比微結構有兩個重要的參
數:線寬變化和傾角角度。前者關繫到所做
圖形的可控性和精確性,而後者則關繫到其
後期作為模具的可行性。在現有對於SU28
膠的研究中,人們對於表面線寬的控制已經
達到了一定的精確度[7 ] 。但是對於高深寬比
的SU28 膠來說,由於其膠厚很厚(100μm～
1 200μm) ,底部和頂部的感光量必定有差
值,要保證表面線寬變化很小,往往會造成底
部由於曝光不足而出現倒角現象( T2top) 。
尤其在300 μm 以上的膠厚中,這種現象更
為明顯,而且這給之後將其作為模具以及電
鍍金屬模具之後的脫模帶來困難。現在已經
有了一些消除倒角的方法,如灰度曝光、多次
傾斜曝光、背面曝光、用長波長光源以及減少
PGA濃度[8 - 10] 。但是這些方法都有其局限性
和缺點,如成本太高、應用受結構限制、無法進
行後續的電鑄工藝、曝光時間太長等。
本文通過對工藝參數的研究,發現微結
構線寬變化並不是通常所認為的線性變化,
因此希望通過工藝參數之間的優化組合,調
節頂部和底部的線寬大小,在保證表面線寬
變化很小的前提下,得到一個垂直或正角的
SU28 膠構型,以解決其作為模具的困難,簡
化和方便後續工藝。

LZ是否還需要一些這方面的實驗資料！我可以發給你！！！需要的話給個郵箱地址給我，我發給你

呵呵